2N7635-GA 數據表
規格 2N7635-GA
零件號 :
2N7635-GA
製造商 :
GeneSiC Semiconductor
描述 :
TRANS SJT 650V 4A TO-257
系列 :
-
零件狀態 :
Obsolete
FET型 :
-
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss） :
650V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
4A (Tc) (165°C)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
-
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
415 mOhm @ 4A
VGS（TH）（最大）標識 :
-
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
VGS（最大） :
-
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
324pF @ 35V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
47W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
TO-257
封裝/箱體 :
TO-257-3
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-2N7635-GA
簡要描述;簡介
TRANS SJT 650V 4A TO-257
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
78525 件
參考價
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