2SK3666-2-TB-E 數據表
規格 2SK3666-2-TB-E
零件號 :
2SK3666-2-TB-E
製造商 :
ON Semiconductor
描述 :
JFET NCH 30V 200MW 3CP
系列 :
-
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
電壓 - 擊穿（V（BR）GSS） :
-
漏極至源極電壓（Vdss） :
30V
電流 - 漏極（的Idss）@的Vds（Vgs = 0時） :
600µA @ 10V
當前漏極（Id） - 最大 :
10mA
電壓 - 截止（VGS關閉）@標識 :
180mV @ 1µA
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
4pF @ 10V
電阻 - RDS（ON） :
200 Ohms
功率 - 最大 :
200mW
工作溫度 :
150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備封裝 :
3-CP
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-2SK3666-2-TB-E
製造商
簡要描述;簡介
JFET NCH 30V 200MW 3CP
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
7565579 件
參考價
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