APTM120H140FT1G 數據表
規格 APTM120H140FT1G
零件號 :
APTM120H140FT1G
製造商 :
Microsemi Corporation
描述 :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
系列 :
-
零件狀態 :
Active
FET型 :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET特點 :
Standard
漏極至源極電壓（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
8A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
5V @ 1mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
145nC @ 10V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
3812pF @ 25V
功率 - 最大 :
208W
工作溫度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Chassis Mount
封裝/箱體 :
SP1
供應商設備封裝 :
SP1
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-APTM120H140FT1G
簡要描述;簡介
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
71904 件
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