BSC0910NDIATMA1 數據表
規格 BSC0910NDIATMA1
零件號 :
BSC0910NDIATMA1
製造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
系列 :
OptiMOS™
零件狀態 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特點 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss） :
25V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
11A, 31A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
4.6 mOhm @ 25A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
2V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
6.6nC @ 4.5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
4500pF @ 12V
功率 - 最大 :
1W
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
8-PowerTDFN
供應商設備封裝 :
PG-TISON-8
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-BSC0910NDIATMA1
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
671944 件
參考價
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