DMJ70H1D3SJ3 數據表
規格 DMJ70H1D3SJ3
零件號 :
DMJ70H1D3SJ3
製造商 :
Diodes Incorporated
描述 :
MOSFET N-CH TO251
系列 :
-
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
700V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
4.6A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
-
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
4V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
13.9nC @ 10V
VGS（最大） :
-
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
351pF @ 50V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
41W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
TO-251
封裝/箱體 :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-DMJ70H1D3SJ3
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH TO251
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
688233 件
參考價
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