EPC2105ENG 數據表
規格 EPC2105ENG
零件號 :
EPC2105ENG
製造商 :
EPC
描述 :
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
系列 :
eGaN®
零件狀態 :
Discontinued at Digi-Key
FET型 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss） :
80V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
9.5A, 38A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
14.5 mOhm @ 20A, 5V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.5V @ 2.5mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
2.5nC @ 5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
300pF @ 40V
功率 - 最大 :
-
工作溫度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
Die
供應商設備封裝 :
Die
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-EPC2105ENG
製造商
簡要描述;簡介
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
52897 件
參考價
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