IGT60R070D1ATMA1 數據表
規格 IGT60R070D1ATMA1
零件號 :
IGT60R070D1ATMA1
製造商 :
Infineon Technologies
描述 :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
系列 :
CoolGaN™
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss） :
600V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
31A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
-
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
-
VGS（TH）（最大）標識 :
1.6V @ 2.6mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
VGS（最大） :
-10V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
380pF @ 400V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
125W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
PG-HSOF-8-3
封裝/箱體 :
8-PowerSFN
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-IGT60R070D1ATMA1
簡要描述;簡介
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
75036 件
參考價
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