SI6975DQ-T1-GE3 數據表
規格 SI6975DQ-T1-GE3
零件號 :
SI6975DQ-T1-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
系列 :
TrenchFET®
零件狀態 :
Active
FET型 :
2 P-Channel (Dual)
FET特點 :
Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss） :
12V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
4.3A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 :
450mV @ 5mA (Min)
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
30nC @ 4.5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
-
功率 - 最大 :
830mW
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備封裝 :
8-TSSOP
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SI6975DQ-T1-GE3
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
801521 件
參考價
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