SIZ926DT-T1-GE3 數據表
規格 SIZ926DT-T1-GE3
零件號 :
SIZ926DT-T1-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
系列 :
TrenchFET® Gen IV
零件狀態 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特點 :
Standard
漏極至源極電壓（Vdss） :
25V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
40A (Tc), 60A (Tc)
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.2V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
功率 - 最大 :
20.2W, 40W
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
8-PowerWDFN
供應商設備封裝 :
8-PowerPair® (6x5)
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SIZ926DT-T1-GE3
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1136618 件
參考價
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