SSVMUN5312DW1T2G 數據表
規格 SSVMUN5312DW1T2G
零件號 :
SSVMUN5312DW1T2G
製造商 :
ON Semiconductor
描述 :
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
系列 :
-
零件狀態 :
Active
晶體管類型 :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極（Ic）（最大） :
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） :
50V
電阻 - 基（R 1） :
22 kOhms
電阻器 - 發射極基極（R2） :
22 kOhms
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce :
60 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ IB，IC :
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大） :
500nA
頻率 - 轉換 :
-
功率 - 最大 :
187mW
安裝類型 :
Surface Mount
封裝/箱體 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備封裝 :
SC-88/SC70-6/SOT-363
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SSVMUN5312DW1T2G
製造商
簡要描述;簡介
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
6141177 件
參考價
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