TK4R3E06PL,S1X 數據表
規格 TK4R3E06PL,S1X
零件號 :
TK4R3E06PL,S1X
製造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
系列 :
U-MOSIX-H
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
60V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
80A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 :
2.5V @ 500µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
48.2nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
3280pF @ 30V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
87W (Tc)
工作溫度 :
175°C (TJ)
安裝類型 :
Through Hole
供應商設備封裝 :
TO-220
封裝/箱體 :
TO-220-3
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-TK4R3E06PL,S1X
簡要描述;簡介
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
330624 件
參考價
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