SIHB24N65E-GE3 數據表
規格 SIHB24N65E-GE3
零件號 :
SIHB24N65E-GE3
製造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
系列 :
-
零件狀態 :
Active
FET型 :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） :
650V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ :
24A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 :
145 mOhm @ 12A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 :
4V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
122nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds :
2740pF @ 100V
FET特點 :
-
功率耗散（最大） :
250W (Tc)
工作溫度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 :
Surface Mount
供應商設備封裝 :
D2PAK
封裝/箱體 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 :
-
條件 :
新的和原始的
質量保證 :
365天保修
庫存資源 :
特許經銷商/製造商直銷
出生國家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SIHB24N65E-GE3
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
114040 件
參考價
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