SIHB24N65E-GE3 - MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

製造商零件編號

SIHB24N65E-GE3

內部零件號

ABC-SIHB24N65E-GE3

製造商

Vishay Siliconix

簡要描述;簡介

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

114040 Pieces

參考價

~~USD 3.28~~

我們的價格

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規格 SIHB24N65E-GE3

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : SIHB24N65E-GE3

製造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

系列 : -

零件狀態 : Active

FET型 : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓（Vdss） : 650V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 24A (Tc)

驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 145 mOhm @ 12A, 10V

VGS（TH）（最大）標識 : 4V @ 250µA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 122nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 2740pF @ 100V

FET特點 : -

功率耗散（最大） : 250W (Tc)

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

供應商設備封裝 : D2PAK

封裝/箱體 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : SIHB , SIHB24N

的文件 SIHB24N65E-GE3

數據表 : SIHB24N65E-GE3.pdf

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零件號	牌	描述
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