PHD21N06LT,118 - MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
製造商零件編號
內部零件號
ABC-PHD21N06LT,118
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
79785 Pieces
參考價
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規格 PHD21N06LT,118
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : PHD21N06LT,118
製造商 : NXP USA Inc.
描述 : MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
系列 : TrenchMOS™
零件狀態 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） : 55V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 19A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 70 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 2V @ 1mA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 9.4nC @ 5V
VGS（最大） : ±15V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 650pF @ 25V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : 56W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : DPAK
封裝/箱體 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
條件 : 新的和原始的
的文件 PHD21N06LT,118
數據表 : PHD21N06LT,118.pdf
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