GA10SICP12-263 - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

製造商零件編號

GA10SICP12-263

內部零件號

ABC-GA10SICP12-263

製造商

GeneSiC Semiconductor

簡要描述;簡介

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

43537 Pieces

參考價

~~USD 13.9587~~

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規格 GA10SICP12-263

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : GA10SICP12-263

製造商 : GeneSiC Semiconductor

描述 : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

系列 : -

零件狀態 : Active

FET型 : -

技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓（Vdss） : 1200V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 25A (Tc)

驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : -

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 100 mOhm @ 10A

VGS（TH）（最大）標識 : -

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -

VGS（最大） : -

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1403pF @ 800V

FET特點 : -

功率耗散（最大） : 170W (Tc)

工作溫度 : 175°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

供應商設備封裝 : D2PAK (7-Lead)

封裝/箱體 : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : GA10 , GA10SIC

的文件 GA10SICP12-263

數據表 : GA10SICP12-263.pdf

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零件號	牌	描述
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