SIS776DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SIS776DN-T1-GE3
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
1416982 Pieces
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規格 SIS776DN-T1-GE3
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SIS776DN-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
系列 : SkyFET®, TrenchFET®
零件狀態 : Active
FET型 : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） : 30V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 35A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 4.5V, 10V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 6.2 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 2.5V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 36nC @ 10V
VGS（最大） : ±20V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1360pF @ 15V
FET特點 : Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大） : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度 : -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : PowerPAK® 1212-8
封裝/箱體 : PowerPAK® 1212-8
重量 : -
條件 : 新的和原始的
的文件 SIS776DN-T1-GE3
數據表 : SIS776DN-T1-GE3.pdf
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