PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

製造商零件編號

PMWD19UN,518

內部零件號

ABC-PMWD19UN,518

製造商

NXP USA Inc.

簡要描述;簡介

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

49062 Pieces

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規格 PMWD19UN,518

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : PMWD19UN,518

製造商 : NXP USA Inc.

描述 : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

系列 : TrenchMOS™

零件狀態 : Obsolete

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特點 : Logic Level Gate

漏極至源極電壓（Vdss） : 30V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 5.6A

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）標識 : 700mV @ 1mA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 28nC @ 5V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1478pF @ 10V

功率 - 最大 : 2.3W

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

封裝/箱體 : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備封裝 : 8-TSSOP

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : PMWD , PMWD19

的文件 PMWD19UN,518

數據表 : PMWD19UN,518.pdf

相關產品 PMWD19UN,518 NXP USA Inc.

零件號	牌	描述
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