HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
製造商零件編號
內部零件號
ABC-HGT1S10N120BNST
製造商
簡要描述;簡介
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
363083 Pieces
參考價
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規格 HGT1S10N120BNST
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : HGT1S10N120BNST
製造商 : ON Semiconductor
描述 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
系列 : -
零件狀態 : Active
IGBT類型 : NPT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） : 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大） : 35A
電流 - 集電極脈衝（ICM） : 80A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成電路 : 2.7V @ 15V, 10A
功率 - 最大 : 298W
開關能量 : 320µJ (on), 800µJ (off)
輸入類型 : Standard
柵極電荷 : 100nC
TD（開/關）@ 25℃ : 23ns/165ns
測試條件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
反向恢復時間（trr） : -
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備封裝 : TO-263AB
重量 : -
條件 : 新的和原始的
的文件 HGT1S10N120BNST
數據表 : HGT1S10N120BNST.pdf
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