HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

製造商零件編號

HGT1S10N120BNST

內部零件號

ABC-HGT1S10N120BNST

製造商

ON Semiconductor

簡要描述;簡介

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

363083 Pieces

參考價

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規格 HGT1S10N120BNST

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : HGT1S10N120BNST

製造商 : ON Semiconductor

描述 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

系列 : -

零件狀態 : Active

IGBT類型 : NPT

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大） : 1200V

電流 - 集電極（Ic）（最大） : 35A

電流 - 集電極脈衝（ICM） : 80A

的VCE（on）（最大）Vge的，集成電路 : 2.7V @ 15V, 10A

功率 - 最大 : 298W

開關能量 : 320µJ (on), 800µJ (off)

輸入類型 : Standard

柵極電荷 : 100nC

TD（開/關）@ 25℃ : 23ns/165ns

測試條件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V

反向恢復時間（trr） : -

工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

封裝/箱體 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備封裝 : TO-263AB

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : HGT1S , HGT1S10

的文件 HGT1S10N120BNST

數據表 : HGT1S10N120BNST.pdf

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零件號	牌	描述
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