SI5499DC-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SI5499DC-T1-GE3
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
92576 Pieces
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規格 SI5499DC-T1-GE3
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI5499DC-T1-GE3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Obsolete
FET型 : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss） : 8V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 6A (Tc)
驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 1.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
VGS（TH）（最大）標識 : 800mV @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 35nC @ 8V
VGS（最大） : ±5V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1290pF @ 4V
FET特點 : -
功率耗散（最大） : 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
供應商設備封裝 : 1206-8 ChipFET™
封裝/箱體 : 8-SMD, Flat Lead
重量 : -
條件 : 新的和原始的
的文件 SI5499DC-T1-GE3
數據表 : SI5499DC-T1-GE3.pdf
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