IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

製造商零件編號

IPD180N10N3GBTMA1

內部零件號

ABC-IPD180N10N3GBTMA1

製造商

Infineon Technologies

簡要描述;簡介

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

RoHS狀態

無鉛/符合RoHS

交貨時間

1-2天

可用數量

1416982 Pieces

參考價

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規格 IPD180N10N3GBTMA1

質量保證 : 365天保修

庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷

出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件號 : IPD180N10N3GBTMA1

製造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

系列 : OptiMOS™

零件狀態 : Active

FET型 : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓（Vdss） : 100V

電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 43A (Tc)

驅動電壓（最大RDS（ON），閔RDS（ON）） : 6V, 10V

RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 18 mOhm @ 33A, 10V

VGS（TH）（最大）標識 : 3.5V @ 33µA

柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 25nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

輸入電容（CISS）（最大）的Vds : 1800pF @ 50V

FET特點 : -

功率耗散（最大） : 71W (Tc)

工作溫度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型 : Surface Mount

供應商設備封裝 : PG-TO252-3

封裝/箱體 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

重量 : -

條件 : 新的和原始的

相關鏈接 : IPD18 , IPD180N1

的文件 IPD180N10N3GBTMA1

數據表 : IPD180N10N3GBTMA1.pdf

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零件號	牌	描述
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