SI7956DP-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
製造商零件編號
內部零件號
ABC-SI7956DP-T1-E3
製造商
簡要描述;簡介
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
RoHS狀態
無鉛/符合RoHS
交貨時間
1-2天
可用數量
367402 Pieces
參考價
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規格 SI7956DP-T1-E3
質量保證 : 365天保修
庫存資源 : 特許經銷商/製造商直銷
出生國家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件號 : SI7956DP-T1-E3
製造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
系列 : TrenchFET®
零件狀態 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特點 : Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss） : 150V
電流 - 連續漏極（Id）@ 25℃ : 2.6A
RDS（ON）（最大）標識，Vgs的 : 105 mOhm @ 4.1A, 10V
VGS（TH）（最大）標識 : 4V @ 250µA
柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 26nC @ 10V
輸入電容（CISS）（最大）的Vds : -
功率 - 最大 : 1.4W
工作溫度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 : Surface Mount
封裝/箱體 : PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備封裝 : PowerPAK® SO-8 Dual
重量 : -
條件 : 新的和原始的
的文件 SI7956DP-T1-E3
數據表 : SI7956DP-T1-E3.pdf
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